Indium Phosphide (InP) Semiconductor Processing Technology
Innehållsförteckning
Introduktion
Applikationskrav
Systemspecifikationer
Bearbetningsflöde
Kundcase
Applikationskrav
InP-waferbearbetning måste uppnå följande mål:
Ytgrovhet: Efter-polering Ra Mindre än eller lika med 1 nm
Total tjockleksvariation (TTV): Slutlig wafer TTV Mindre än eller lika med 2 µm
Tjocklekskontroll: Måltjocklek 150 µm (beroende på kundkrav)
Kantplanhet: Kompensera för kantförvrängning under poleringsstadiet med en konvex slipplatta.
Systemspecifikationer
HSM Precision Grinding and Polishing System ger en fullständig-processlösning.
Bearbetningsflöde
Slipningsförberedelse
Använd en planhetstestmätare för att kalibrera konvexiteten hos glasslipplattan (används för att kompensera för poleringskanteffekter).
Ladda InP-skivan på den dedikerade fixturen (ASJ). Utför två-slipning med aluminiumoxiduppslamning:
Steg 1:Ta bort skärskador, minska grovheten till 250-350 nm.
Steg 2: Förbättra planheten, uppnå grovhet på 200-350 nm och TTV mindre än eller lika med 3 µm.
Poleringsförberedelse
Byt ut Lapping-plattan med en polerplatta och byt slipmedlet till HSM-specialiserad poleruppslamning.
Styr nyckelparametrar via det grafiska gränssnittet:
Poleringsvalshastighet: Mindre än eller lika med 100 rpm
Uppslamningsflöde: Övervakas av ett-realtidskontrollsystem för droppmatning (minskar avfall)
Tryckbelastning: Dynamiskt justerad utifrån tjocklekskrav.
Mål:Ta bort skador på under-ytan och uppnå en atomärt jämn yta (Ra mindre än eller lika med 1 nm).
Resultat
De 2-tums InP-skivor som bearbetades av HSM-LP-systemet uppnådde följande prestanda:
Kundcase
En kund använde HSM-LP-systemet för att bearbeta 2-tums (50 mm) InP-skivor. Processen och resultaten är som följer:
Två-slipning:
Lappplattans konvexitet kalibrerad till målkrökningen (för att motverka kantförvrängning).
Material avlägsnades stegvis med aluminiumoxiduppslamning, TTV stabiliserades vid 3 µm.
Polering:
Flödeshastighet för poleringsslam inställd på 50 ml/min, valshastighet vid 80 rpm.
Ytjämnhet reducerad från 350 nm till 1 nm (verifierad av Dektak profilometer).
Slutliga mätvärden:
Tjocklek: 150 ± 0,5 µm
Planhet: TTV Mindre än eller lika med 1 µm
Kantintegritet: Ingen flisning.
Teknisk validering
Schematisk: Ytmorfologi för InP-skivan efter bearbetning av HSM-LP-systemet.
Anteckningar:
Mätutrustning: Bruker ContourGT White Light Interferometer
Full-Process Yield: Större än eller lika med 98 % (batchstorlek på 80 wafers)
